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（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷（CCTBA）是幾種用于制造設備重要功能層的含鈷CVD/ALD前體之一。它是制備鈷金屬、氮化鈷、鈷硅化物等的重要前驅體，特別是對于鈷阻擋層/襯層、共覆蓋層和共晶種層的應用，具有優異的性能。在阻擋層和種子層的情況下，鈷膜顯示出后續種子形成和電鍍步驟的高導電性。
一種（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷的制備方法，其具體方案如下：
在氮氣氣氛保護下，在反應器中加入有羰基鈷試劑和1800g的烴類溶劑，然后控溫10℃，然后緩慢的向體系中加入0.1g的離子液改性的氧化石墨烯材料和25g的入叔丁基乙炔，加完之后氮氣氣氛保護下攪拌反應5h；反應結束后進行過濾，得到的濾液進行蒸餾除掉易揮發組分，得到（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷粗產品，然后經過提純得到（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷。
所述的離子液改性的氧化石墨烯材料的制備方法為：
將0.5g的三乙基硼-1,3-丙二胺，0.03g的1,18-雙(肼基羰基)十八烷和0.1g的氧化石墨烯加入到500g的純化水中，攪拌混合均勻后控溫40℃，繼續反應60min，完成反應后過濾，洗滌，干燥后的得到固體分散于30g的甲苯中，得到分散液；另取0.5g的辛內酰胺和0.07g的1-羧乙基-3-甲基咪唑溴鹽，20g的甲苯中，加入分散液混合均勻，升溫至80℃，反應2h，過濾，用乙醇洗滌然后烘干，即可得到離子液改性的氧化石墨烯材料。
所述的羰基鈷試劑為20g的羰基鈷。
所述的烴類溶劑為正己烷。
所述的過濾工藝采用砂芯過濾裝置。
所述的蒸餾除掉易揮發組分采用40℃，減壓蒸餾方式。
本方法合成的（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷的收率為87.6%，原料羰基鈷試劑的利用率為94.1%
圖1為制備的（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷所做的的傅立葉紅外光譜圖。
由圖可知，3335cm-1附近存在炔基的碳氫的吸收峰，2931cm-1附近存在甲基碳氫的吸收峰，1726cm-1附近存在羰基的吸收峰，說明物質為（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷。
一種（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷的精制方法，其具體方案如下：
本方案采用減壓精餾方法精制粗品（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷；所述的減壓精餾方法在一種精制塔中進行，該精制塔包括有加熱單元，吸附單元和收集單元；首先加熱單元放入粗品（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷，使用惰性氣體保護置換空氣，然后減壓抽真空，真空度0.09MPa；然后加熱單元開始加熱，控溫20℃；其特征在于所述的吸附單元中填充一種金屬有機骨架-碳硅復合材料，吸附單元設置于加熱單元和收集單元中間，（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷蒸汽經過金屬有機骨架-碳硅復合材料吸附雜質后到達冷卻單元冷凝成高純度的（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷產品。
所述的一種金屬有機骨架-碳硅復合材料按照以下方法制備：
將2.5kg可溶性淀粉與70kg純水混合均勻，然后加熱沸騰40s，冷卻到室溫后將1.5kg氯化鐵和8kg濃鹽酸加入到反應釜中，攪拌混合均勻后將30kg20%的硅酸鈉溶液緩慢滴加到反應體系中，室溫攪拌25h，然后加入0.05kg四乙基二乙烯三胺，繼續攪拌50min，然后過濾，將得到的碳硅二元凝膠與0.2kg聚乙二醇1000在70℃下混合均勻，然后揉制成直徑3mm的均勻球形顆粒；將成型顆粒置于105℃的烘箱中干燥8h，然后置于氬氣環境下，加熱到900℃，恒溫3h，隨后隨爐冷卻到室溫，再加入0.5Kg氯基磺酸鈷、0.05Kg7-溴喹啉-2,3-二羧酸、0.02Kg9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、5KgN,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反應釜中，超聲處理，并在100℃℃下反應24小時，得到金屬有機骨架-碳硅復合材料。
所述的吸附單元具備精準加熱控溫功能，工作時溫度比加熱單元高2℃。
所述的加熱單元和吸附單元采用電磁感應精準控溫加熱。
所述的精制塔內部材料使用四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物制備而成。
本方案制備的（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷的色譜分析質量百分比含量為99.9997%，精制產品收率為95.7%。
[1] CN201911044625.7一種（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷的制備方法
[2] CN201911044555.5一種（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷的精制方法